1. EMT1DXV6T1G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

EMT1DXV6T1G 

产品描述

Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R

内部编号

277-EMT1DXV6T1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:7500
4000+¥0.63
最小起订量:4000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:434571
1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
1000+¥0.7705
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:434571
1+¥1.0017
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

EMT1DXV6T1G产品详细规格

规格书 EMT1DXV6T1G datasheet 规格书
EMT1DXV6T1G datasheet 规格书
EMT1DXV6T1,5
文档 Wire Bond 01/Dec/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装 4,000
晶体管类型 2 PNP (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 120 @ 1mA, 6V
功率 - 最大 500mW
频率转换 140MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-563, SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SOT-563
类型 PNP
引脚数 6
最大集电极发射极电压 60 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 120@1mA@6V
最大工作频率 140(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 50 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 500 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 140(Typ)
包装宽度 1.2
PCB 6
最大功率耗散 500
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 50
最大集电极发射极电压 60
供应商封装形式 SOT-563
标准包装名称 SOT-563
最高工作温度 150
包装长度 1.6
包装高度 0.55
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 2 PNP (Dual)
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 140MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 SOT-563
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 SOT-563, SOT-666
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 120 @ 1mA, 6V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 4000
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.5 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
直流集电极/增益hfe最小值 120 at 1 mA at 6 V
增益带宽产品fT 140 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 60 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 50 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 0.1 A
最高工作频率 140 MHz
最大直流集电极电流 0.1 A
长度 1.7mm
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 PNP
安装类型 表面贴装
最低工作温度 -55 °C
高度 0.6mm
最大功率耗散 357 mW
宽度 1.3mm
封装类型 SOT-563
最大集电极-发射极电压 60 V
引脚数目 6
最小直流电流增益 120
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm
晶体管配置 隔离式
最大发射极-基极电压 -6 V
最大集电极-发射极饱和电压 -0.5V 直流
每片芯片元件数目 2
最大集电极-基极电压 -50 V
宽度 1.2 mm
品牌 ON Semiconductor
长度 1.6 mm
系列 EMT SERIES
身高 0.55 mm
Pd - Power Dissipation 357 mW

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